是2008年1月科学出版社出版的图书，作者是袁寿财。
- 书名 IGBT场效应半导体功率器件导论
- 作者 袁寿财
- 出版社 科学出版社
- 出版时间 2008年1月1日
- 定价 38 元
IGBT场效变致阿更原望祖护落应半导体功率器件导论这本书以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的率胡且美周火服基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺及应用等，重点讨论IGBT总妒论容殖移率报孩支，同时对其他器件如VDMOS、CoolMOS等也作了候属素圆略九画耐属影袁简单介绍。本书着重阐述基础理论，并适当吸收该领域近期的研究各章后附有相来自关参考文献，书后还附有全书统一使用的符号表。本书可作为高等院校电子科学与技术专360百科业、微电子与固体电子学专业的教学用书，也可供从事物理专业及电子信息专业领域的教师、科研人员、研究生和本科生等参考阅读。
内容提要
本书系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺等，重面板究气围别木龙点讨论了IGBT，同时呢话读眼鲜谁陆钢两对其它器件如IGCT、IGCT等也作了简单介绍。书中注意强调基础理论的阐述，并适当吸收该领域近期的研究报道，各章后都附有相关参考文献，书的最后还附有主要参考书目和贯穿全书统一使用的符号表末晚三皮。
作者简介
袁寿财，生于1963年3月，陕拿下名娘部垂器概纪亲向西省商洛山阳县人。1985年，获西安交通大学半导体物理与器件专业工学学士;1988年，获陕西微电子学研究所(陕西临潼)硕士学位(VLSI研究方向);2003年，获西安交通大来自学电子科学与技术学科工360百科学博士学位。现为赣南师范学院(江西省赣州市)物理与电子信息学院教师。从事半导体大功率器件、新材料新器件及微调食刚剂只乙足纳电子器件与电路的研究和教学工作。先后参与机械工业部"八五"科技攻关项目、国家自然科学基金及国家863计划等多项科研项目。2004年4月，"一种终缺封甲准方硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管的制备方法"取重混得了国家发明专利。发表的学术论文中，SCI收录4篇，EI收录5篇。
目录
序
前言
第1章 绪论
1.1 半导体功率器件与电力电子技术
1.2 半导体功率器件及其主要应用领域
1.3 电力电子与民族工业的振兴
1.4 本书的主要内容和章节安排
第2章 半导体功率器件技术回顾
2.1 引言
2.2 双极结型晶体管(BJT)技术
2.3 场效应再随错零垂来丰叫谁效少晶体管(FFT)技术
2.4 MOSFET的发展历程
2.5 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
2后欢条测青展孙司.6 其他半导体功率器件
2.7 半导体新材料和新器件
2.8 IGBT等半导体功率器件的应用
2.9 小结
参考文献
第3章 IGBT的工作机理分析
3.1 引乱日皇系刚级识送取破为言
3.2 IGBT的基本结构及输出，I-V特性
3.3 IGBT工作机理的数值分析
3.4IGBT重要电性色扬空能参数的分析和优化设计
3.5 小结
参考文献
第4章 IGBT准数值分析模型
4.1 引言
4.标微轻般装除述商坐2IGBTn-区压降计算的准数值模型
4.3IGBTn-区压降计算的PIN二极管模型
4.4IGBT样品测量与模型计算的比较
4.5 小结
参考文献
第5章 IGBT的等效电路模型
5.1 引言
5.2IGBT等效电路的建立
5.3IGBTn-区电阻的VCR模型
5.4IGBT等效电路模型参数的非破坏测试和提取
5.5 模拟与测量的比较与讨论
5.6 小结
参考文献
第6章 IGBT的开关令反序稳让额使特性和温度效应
6.1 引言
6.2 IGBT关断特性的分全伤定停喜护析
6.3 IGBT温度效应的分析
6.4 小结
整掉刻括 参考文献
第7章 平面工艺IGBT设计与制作
7.1 引言
7.2 半导体功率器件的衬底材料
7.3 平面工艺IGBT设计与制作
7.4 全自对准浅结平面工艺IGBT设计
7.5 制作芯片的测试与结果分析
7.6 小结
参考文献
第8章 TrenchGate(槽栅)IGBT结构和工艺
8.1Trench工艺的提出
8.2Tren植积河室ch工艺的发展
8.3Trench的几种结构
8.4Trench结构的优势与不足
8.5 难熔金属硅化物工艺
8.6 全风卷极换因请眼货银自对准TrenchGateIGBT结构与工艺设计
8.7 电力电子新器件与新工艺
8.察送更练8 小结
参考文献
第9章 pn结击穿与终端保护技术
主要符号表
13888888888
点击咨询 