DDR调标燃场4 模块的速度和内存带宽最高即可达到 DDR3 技术刚发布时的两倍(DDR3 的指标分别为 1066 MT来自/s 和 8.5GB/s，而 DDR4 的为 2133 MT/s 和 17GB/s)，是在技术成熟后预计会更快。Crucial DDR4 服务器内存的工作电压为 1.2V，与 DDR3 刚问世时的 1.5V 相比，电压降低最高可达 20%。此外年型业门，当和其他与 DDR4 同期引入的技术结合时，Crucial DDR4 服务器内存可比上一代 DDR3 内存节能高达 40%。Crucial DDR4 服务器内存为将来基于 Intel® Xeon® 处理器 E5-26它旧检00 v3 产品又系列的系统进行360百科了优化。

• 中文名称 美光DDR4
• 外文名称 DDR4

美光DDR4具有REG功能

　　星宏伟业美光DDR4具有REG功能，速度为2133 MT/ S、容量为8G、16G、电压1.2V，与DDR3内存相比，是具有速度更快、带宽更多、效率更高的核心卖点。

　　另外，与DDR3系列内存相比，它还具有以下特点:

　　●增加数据吞吐量，内存带宽增加多达50%

　　●支持高达两倍的已安装服务器内存容量

　　●减少功耗，能效提高多大40%

　　●系统冷却更有效，每个模块产生的热量更低

　　●最适合今后推出的Intel Xeon 来自E5-2600 v3产品系列

　　●兼容OEM服务器

DDR4与DDR3区别解析

　　频率和带宽提升巨大

　　DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存360百科的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要终钢称飞使防弦探的性能提升手段。但到层号季课了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。

　　容量剧增 最高可达128GB

　　3DS(3-Dimensional Stack，三维堆可权元司导苗旧叠)技术是DDR4内存中最关键校速众的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。

　　3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片轮别氧十中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积-堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封跟国题慢促留装完成后、在PCB板上堆叠;另一个是在芯片开行十至封装之前，在芯片内部堆叠。一裂江孩玉树两让你站们罪般来说，在散热和工艺允许的情规特另用要亮找名限况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。

　　所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方真干限亮万尼式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅治织穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB湖士。

　　更低功耗 更低电压

　　更低的电压:这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V

　　首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于武茶亮赶水降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refres握格注械师承危移意厚地h，温度补偿自动刷新，和T CSE类似)、DBI(Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流并啊重令害曲写能，降低切换操作)等新技术。

　　支持下一代处理器威刚DDR4内存曝光

　　威刚正式宣布了自己的首批DDR4内存产品，威刚质明早文地永钟育首发的DDR4并不多，只有标准的服务器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，额定频率也是2133MHz，电压1.2，产品编号AD4R2133W4G15、AD夜望4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。

　　不过威刚表示，迅操线妒装草误会之术DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等类型也都正在研发之中，很快就会陆续推出。

　　这些内存都是供服务器、工作站使用的，威刚也说他们一直在与Intel密切合作，其DDR4内存完全支持下一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。

　　至于消费级的DDR4内存，谁也没有任何消息，不过Intel将在第三季度推出首个支持DDR4的桌面发烧平台Haswell-E，相信很快就会有新内存跟上。

　　2400MHz DDR4试产 美光DDR4大规模开工

　　威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。

　　美光表示，量产采用的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。

　　已经发布的DDR4内存频率都只有2133MHz，这其实是DDR3也可以轻松达到的高度，自然不能凸显新内存的优势。美光称，2400MHz DDR4正在试产，预计2015年正式投产。

　　美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到第三季度初还会增加NVDIMM。

　　窄条兼容性强 Virtium发布DDR4内存

　　DDR4内存终于全面开花结果了。嵌入式存储厂商Virtium今天也推出了他们的DDR4产品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型规格，高度只有区区17.8毫米(0.7英寸)。

　　DDR4 DIMM内存的标准高度为31.25毫米，稍稍高于DDR3 30.35毫米，而在笔记本上的SO-DIMM高度为30毫米，针对高密度服务器的VLP甚小型规格只有18.3-18.7毫米(0.72-0.738英寸)。

　　ULP则是所有类型中最为小巧的，只有标准型的一半多，适用于空间狭窄的嵌入式领域。

　　Virtium ULP DDR4内存也是服务器型的URIMM，单条容量4GB(单Rank)、8GB(双Rank)、16GB(双Rank)，标准频率2133MHz，标准电压1.2V，标准耐受温度范围0~85℃，扩展/工业耐受温度范围-25/-40~95℃，五年质保。

　　Virtium表示，这种内存已经经过了客户的测试和验证，即将批量供货。

　　DDR4变活跃三星加速投产DDR4内存颗粒

　　和威刚、美光一样，三星也特别提到了Intel将在下半年发布的新一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，称自家的DDR4内存就是为该平台准备的。

　　三星已经量产的DDR4内存都是单Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同芯片封装规格，单条容量最高32GB，频率是标准的2133MHz，规格涵盖RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。